APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
| メーカー | Microsemi |
|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| 電力 - 最大 | 390W |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | SP3 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5200pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186nC @ 10V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V (1kV) |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A |
| RFQ | |
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