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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G
Microsemi

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APT75GN60B2DQ3G

FabricanteMicrosemi
DescriçãoIGBT 600V 155A 536W TO264
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 1.85V @ 15V, 75A
Condição de teste 400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 47ns/385ns
Alternando Energia 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor -
Série -
Power - Max 536W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação -
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
portão de carga 485nC
Descrição detalhada IGBT 600V 155A 536W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM) 225A
Atual - Collector (Ic) (Max) 155A
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