APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
Testbedingung | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 47ns/385ns |
Schaltenergie | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Serie | - |
Leistung - max | 536W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 485nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 155A |
RFQ |
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