APT75GN60B2DQ3G
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APT75GN60B2DQ3G
| Fabricant | Microsemi |
|---|---|
| La description | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Condition de test | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 47ns/385ns |
| énergie de commutation | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Package composant fournisseur | - |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 536W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-264-3, TO-264AA |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | - |
| gate charge | 485nC |
| Description détaillée | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 225A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 155A |
| RFQ | |
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