EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| Fabricante | EPC |
|---|---|
| Descrição | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die |
| Série | eGaN® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Power - Max | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | Die |
| Outros nomes | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 80V |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
Os preços acima são exclusivos de impostos e taxas de remessa. O preço exato está sujeito à oferta final
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