EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| fabbricante | EPC |
|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potenza - Max | - |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
I prezzi di cui sopra sono esclusivi delle tasse e delle spese di spedizione. Il prezzo esatto è soggetto all'offerta finale
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