EPC2105ENG
EPC2105ENG
제조사 | EPC |
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기술 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 2.5mA |
제조업체 장치 패키지 | Die |
연속 | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
전력 - 최대 | - |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | Die |
다른 이름들 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 40V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A, 38A |
RFQ |
참고 가격 (미국 달러 기준)
유품:1949
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
위의 가격은 세금 및 배송비를 제외하고 정확한 가격은 최종 제안의 적용을받습니다.
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