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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3911DV-T1-E3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 450mV @ 250µA (Min)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
電力 - 最大 830mW
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前 SI3911DV-T1-E3CT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
詳細な説明 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.8A
ベース部品番号 SI3911

SI3911DV

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