SI3911DV-T1-E3
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SI3911DV-T1-E3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Leistung - max | 830mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen | SI3911DV-T1-E3CT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A |
| Basisteilenummer | SI3911 |
| RFQ | |
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Einführung von SI3911DV-T1-E3
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