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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3911DV-T1-E3

FabricantElectro-Films (EFI) / Vishay
La descriptionMOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Puissance - Max 830mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SI3911DV-T1-E3CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A
Numéro de pièce de base SI3911

SI3911DV

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