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RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0
Renesas Electronics America

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RJP60F5DPK-01#T0

fabbricanteRenesas Electronics America
DescrizioneIGBT 600V 80A 260.4W
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.8V @ 15V, 40A
Condizione di test 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 53ns/90ns
di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P
Serie -
Potenza - Max 260.4W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi RJP60F5DPK01T0
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT -
carica gate 74nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 160A
Corrente - collettore (Ic) (max) 80A
Numero di parte base RJP60F

RJP60F5DPK

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:804
  • 1 pcs$4.826
  • 10 pcs$4.306
  • 25 pcs$3.876
  • 100 pcs$3.532

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