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RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0
Renesas Electronics America

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RJP60F5DPK-01#T0

FabricanteRenesas Electronics America
DescripciónIGBT 600V 80A 260.4W
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A
Condición de prueba 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 53ns/90ns
Cambio de Energía -
Paquete del dispositivo TO-3P
Serie -
Potencia - Max 260.4W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres RJP60F5DPK01T0
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 74nC
Descripción detallada IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 160A
Corriente - colector (Ic) (Max) 80A
Número de pieza base RJP60F

RJP60F5DPK

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:804
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  • 10 pcs$4.306
  • 25 pcs$3.876
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