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RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0
Renesas Electronics America

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RJP60F5DPK-01#T0

HerstellerRenesas Electronics America
BeschreibungIGBT 600V 80A 260.4W
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A
Testbedingung 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 53ns/90ns
Schaltenergie -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P
Serie -
Leistung - max 260.4W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen RJP60F5DPK01T0
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 74nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80A
Basisteilenummer RJP60F

RJP60F5DPK

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:804
  • 1 pcs$4.826
  • 10 pcs$4.306
  • 25 pcs$3.876
  • 100 pcs$3.532

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