RJP60F5DPK-01#T0
RJP60F5DPK-01#T0
Hersteller | Renesas Electronics America |
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Beschreibung | IGBT 600V 80A 260.4W |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 40A |
Testbedingung | 400V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 53ns/90ns |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
Serie | - |
Leistung - max | 260.4W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen | RJP60F5DPK01T0 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 74nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80A |
Basisteilenummer | RJP60F |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$4.826
- 10 pcs$4.306
- 25 pcs$3.876
- 100 pcs$3.532
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von RJP60F5DPK-01#T0
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