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HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGTG20N60B3

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneIGBT 600V 40A 165W TO247
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 20A
Condizione di test 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C -
di scambio energetico 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247
Serie -
Potenza - Max 165W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT -
carica gate 80nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 160A
Corrente - collettore (Ic) (max) 40A
Numero di parte base HGTG20N60

HGTG20N60B3

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:595
  • 1 pcs$2.981
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