HGTG20N60B3
HGTG20N60B3
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 600V 40A 165W TO247 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 480V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | 475µJ (on), 1.05mJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | - |
Leistung - max | 165W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 80nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247 |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |
Basisteilenummer | HGTG20N60 |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$2.981
- 200 pcs$1.154
- 450 pcs$1.114
- 900 pcs$1.094
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von HGTG20N60B3
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