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HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGTG20N60B3

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionIGBT 600V 40A 165W TO247
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Condition de test 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
énergie de commutation 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247
Séries -
Puissance - Max 165W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 80nC
Description détaillée IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A
Numéro de pièce de base HGTG20N60

HGTG20N60B3

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:595
  • 1 pcs$2.981
  • 200 pcs$1.154
  • 450 pcs$1.114
  • 900 pcs$1.094

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