EFC6612R-A-TF
EFC6612R-A-TF
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | - |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-CSP (1.77x3.54) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | - |
Potenza - Max | 2.5W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-SMD, No Lead |
temperatura di esercizio | - |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
RFQ |
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