EFC6612R-A-TF
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EFC6612R-A-TF
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | - |
| Paquete del dispositivo | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| Potencia - Max | 2.5W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-SMD, No Lead |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| RFQ | |
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