EFC6612R-A-TF
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EFC6612R-A-TF
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Leistung - max | 2.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, No Lead |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
| RFQ | |
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-
BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von EFC6612R-A-TF
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