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STP11NM60FDFP

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics

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STP11NM60FDFP

FabricantSTMicroelectronics
La descriptionMOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP
Séries FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

STB11NM60FD(-1), STP11NM60FD(FP)

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:255
  • 1 pcs$1.265
  • 10 pcs$1.089
  • 30 pcs$0.992
  • 100 pcs$0.882
  • 500 pcs$0.834
  • 1000 pcs$0.811

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