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STP11NM60FDFP

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics

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STP11NM60FDFP

FabricanteSTMicroelectronics
DescripciónMOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220FP
Serie FDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs 450 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 35W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack
Otros nombres 497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

STB11NM60FD(-1), STP11NM60FD(FP)

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:255
  • 1 pcs$1.265
  • 10 pcs$1.089
  • 30 pcs$0.992
  • 100 pcs$0.882
  • 500 pcs$0.834
  • 1000 pcs$0.811

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