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STP11NM60FDFP

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics

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STP11NM60FDFP

HerstellerSTMicroelectronics
BeschreibungMOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP
Serie FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max) 35W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
Andere Namen 497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)

STB11NM60FD(-1), STP11NM60FD(FP)

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:255
  • 1 pcs$1.265
  • 10 pcs$1.089
  • 30 pcs$0.992
  • 100 pcs$0.882
  • 500 pcs$0.834
  • 1000 pcs$0.811

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