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APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G
Microsemi

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APTGT50H120T3G

FabricantMicrosemi
La descriptionIGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur SP3
Séries -
Puissance - Max 270W
Package / Boîte SP3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance Yes
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop
Description détaillée IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75A
Configuration Full Bridge Inverter

APTGT50H120T3G

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Prix de référence (en dollars américains)

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