APTGT50H120T3G
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APTGT50H120T3G
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 270W |
| Verpackung / Gehäuse | SP3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 3.6nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75A |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 100 pcs$61.607
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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