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APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G
Microsemi

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APTGT50H120T3G

FabricanteMicrosemi
DescripciónIGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo SP3
Serie -
Potencia - Max 270W
Paquete / Cubierta SP3
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC Yes
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce 3.6nF @ 25V
Entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Descripción detallada IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
Corriente - corte del colector (Max) 250µA
Corriente - colector (Ic) (Max) 75A
Configuración Full Bridge Inverter

APTGT50H120T3G

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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