SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Puissance - Max | 3.2W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | SI4909DY-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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