SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Leistung - max | 3.2W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | SI4909DY-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
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Einführung von SI4909DY-T1-GE3
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