SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Potencia - Max | 3.2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SI4909DY-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
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