RN2971FE(TE85L,F)
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RN2971FE(TE85L,F)
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | ES6 |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 100mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes | RN2971FE(TE85LF)TR |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 200MHz |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
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