RN2971FE(TE85L,F)
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RN2971FE(TE85L,F)
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 100mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | RN2971FE(TE85LF)TR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
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Einführung von RN2971FE(TE85L,F)
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