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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > PBLS4001D,115

PBLS4001D,115

PBLS4001D,115
Nexperia

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PBLS4001D,115

제조사Nexperia
기술TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V, 40V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
트랜지스터 유형 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지 6-TSOP
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 2.2 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 600mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457
다른 이름들 1727-5694-2
568-7233-2
568-7233-2-ND
934058638115
PBLS4001D T/R
PBLS4001D T/R-ND
PBLS4001D,115-ND
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 150MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 1µA, 100nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA, 700mA
기본 부품 번호 PBLS4001

PBLS4001D T/R

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PBLS4001D,115 소개

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