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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > PBLS4001D,115

PBLS4001D,115

PBLS4001D,115
Nexperia

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PBLS4001D,115

FabricanteNexperia
DescripciónTRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V, 40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Paquete del dispositivo 6-TSOP
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 600mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-74, SOT-457
Otros nombres 1727-5694-2
568-7233-2
568-7233-2-ND
934058638115
PBLS4001D T/R
PBLS4001D T/R-ND
PBLS4001D,115-ND
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 150MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 1µA, 100nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA, 700mA
Número de pieza base PBLS4001

PBLS4001D T/R

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Introducción de PBLS4001D,115

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