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JAN2N1613

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JAN2N1613

제조사Microsemi
기술TRANS NPN 30V 0.5A
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 비 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 1.5V @ 15mA, 150mA
트랜지스터 유형 NPN
제조업체 장치 패키지 TO-39 (TO-205AD)
연속 Military, MIL-PRF-19500/181
전력 - 최대 800mW
포장 Bulk
패키지 / 케이스 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
다른 이름들 1086-16077
1086-16077-MIL
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 40 @ 150mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 10µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 500mA

2N718A,2N1613(L)

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JAN2N1613 소개

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