言語を選択してください

EnglishDeutschFrançaisрусский한국의ItaliaNederlandespañolPortuguêsMagyarországDanskΕλλάδαpolskiPilipinoČeštinaTiếng ViệtMelayuMaoriSvenskaSuomiУкраїнаromânescSlovenija
お問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス > RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

Buy with confidence from

Suntronic.org

RN1106MFV(TL3,T) is warrantied and traceable.

RN1106MFV(TL3,T)

メーカーToshiba Semiconductor and Storage
説明TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ VESM
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 150mW
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SOT-723
他の名前 RN1106MFV(TL3T)CT
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

RN1101-6MFV

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:9550
  • 5 pcs$0.279
  • 50 pcs$0.227
  • 150 pcs$0.205
  • 500 pcs$0.177
  • 2500 pcs$0.165
  • 5000 pcs$0.157

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

クイックお問い合わせ

モデル
数量
連絡先
会社
Eメール
備考

RN1106MFV(TL3,T)関連の発表

RN1106MFV(TL3,T)を提供し、リクエスト見積フォームを使用してRN1106MFV(TL3,T) PirceとLead Time.suntronic.orgをプロの電子コンポーネントディストリビューターにリクエストできます。利用可能な電子コンポーネントの300万回のラインアイテムは、すぐに配達するために短いリードタイム、250万部の電子コンポーネントを在庫に出荷できます。必要、可用性、倉庫の場所。今日私たちに接触してください、そして当社の営業担当者はパート＃RN1106MFV(TL3,T)で価格と配達を提供します。

RN1106MFV(TL3,T)の関連用語

著作権©2023電子コンポーネントの信頼できるディストリビューター-Suntronic.org