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ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated

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ZXMN3F31DN8TA

メーカーDiodes Incorporated
説明MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 24 mOhm @ 7A, 10V
電力 - 最大 1.8W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前 1034-ZXMN3F31DN8TR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 26 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 608pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 12.9nC @ 10V
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.7A

ZXMN3F31DN8

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:7093
  • 1 pcs$0.818
  • 10 pcs$0.679
  • 30 pcs$0.61
  • 100 pcs$0.54
  • 500 pcs$0.499
  • 1000 pcs$0.477

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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