ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA
fabbricante | Diodes Incorporated |
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Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
Potenza - Max | 1.8W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | 1034-ZXMN3F31DN8TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.818
- 10 pcs$0.679
- 30 pcs$0.61
- 100 pcs$0.54
- 500 pcs$0.499
- 1000 pcs$0.477
I prezzi di cui sopra sono esclusivi delle tasse e delle spese di spedizione. Il prezzo esatto è soggetto all'offerta finale
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