SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3
fabbricante | Vishay Siliconix |
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Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - Prova | 325pF @ 100V |
Tensione - Ripartizione | TO-252AA |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | - |
Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5.3A (Tc) |
Polarizzazione | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | SIHD5N50D-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20nC @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 250µA |
Caratteristica FET | N-Channel |
Descrizione espansione | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 500V |
rapporto di capacità | 104W (Tc) |
RFQ |
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