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SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3
Vishay / Siliconix

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SIHD5N50D-GE3

fabbricanteVishay Siliconix
DescrizioneMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - Prova 325pF @ 100V
Tensione - Ripartizione TO-252AA
Vgs (th) (max) a Id 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie -
Stato RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3A (Tc)
Polarizzazione TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore SIHD5N50D-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5V @ 250µA
Caratteristica FET N-Channel
Descrizione espansione N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss) -
Descrizione MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500V
rapporto di capacità 104W (Tc)

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