RN2970FE(TE85L,F)
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RN2970FE(TE85L,F)
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | RN2970FE(TE85LF)TR |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 200MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
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