APTM08TDUM04PG
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APTM08TDUM04PG
| fabbricante | Microsemi |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6-P |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Potenza - Max | 138W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SP6 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A |
| RFQ | |
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