APTM08TDUM04PG
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APTM08TDUM04PG
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP6-P |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Leistung - max | 138W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP6 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Typ FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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