MMDF1N05ER2
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MMDF1N05ER2
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | MMDF1N05ER2OSCT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 50V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
| Numero di parte base | MMDF1N05E |
| RFQ | |
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