MMDF1N05ER2
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MMDF1N05ER2
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
Potencia - Max | 2W |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | MMDF1N05ER2OSCT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 50V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
Número de pieza base | MMDF1N05E |
RFQ |
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