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MT46V128M4TG-6T:D TR

MT46V128M4TG-6T:D TR
Micron Technology

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MT46V128M4TG-6T:D TR

FabricantMicron Technology
La descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
CatégorieCircuits intégrés (ci)
État sans plomb / État RoHSContient du plomb / Non conforme à RoHS
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 2.3 V ~ 2.7 V
La technologie SDRAM - DDR
Package composant fournisseur 66-TSOP
Séries -
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Autres noms 557-1014-2
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 4 (72 Hours)
Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 512Mb (128M x 4)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
Fréquence d'horloge 167MHz
Numéro de pièce de base MT46V128M4
Temps d'accès 700ps

MT46V128M4,_64M8,_32M16

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:761
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