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MT46V128M4TG-6T:D TR

MT46V128M4TG-6T:D TR
Micron Technology

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MT46V128M4TG-6T:D TR

HerstellerMicron Technology
BeschreibungIC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
KategorieIntegrierte schaltkreise (ICS)
Bleifreier Status / RoHS StatusEnthält Blei / RoHS nicht konform
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns
Spannungsversorgung 2.3 V ~ 2.7 V
Technologie SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse 66-TSOP
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen 557-1014-2
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 4 (72 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 512Mb (128M x 4)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
Uhrfrequenz 167MHz
Basisteilenummer MT46V128M4
Zugriffszeit 700ps

MT46V128M4,_64M8,_32M16

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:761
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  • 1000 pcs$0.001
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