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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > UMB2NFHATN

UMB2NFHATN

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UMB2NFHATN

FabricantLAPIS Semiconductor
La descriptionPNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6
Séries Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms UMB2NFHATNTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

UMB2NFHA

UMT6 TN Taping Spec

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:174710
  • 3000 pcs$0.069

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