UMB2NFHATN
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UMB2NFHATN
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | UMT6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen | UMB2NFHATNTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 3000 pcs$0.069
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von UMB2NFHATN
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