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IXGT20N120BD1

IXGT20N120BD1
IXYS Corporation

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IXGT20N120BD1

FabricantIXYS Corporation
La descriptionIGBT 1200V 40A 190W TO268
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
Condition de test 960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 25ns/150ns
énergie de commutation 2.1mJ (off)
Package composant fournisseur TO-268
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 40ns
Puissance - Max 190W
Emballage Bulk
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 72nC
Description détaillée IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 100A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A
Numéro de pièce de base IXG*20N120

IXG(H,T)20N120BD1

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

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