IXGT20N120BD1
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IXGT20N120BD1
| Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A 190W TO268 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
| Testbedingung | 960V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 25ns/150ns |
| Schaltenergie | 2.1mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-268 |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40ns |
| Leistung - max | 190W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 72nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |
| Basisteilenummer | IXG*20N120 |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$8.775
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von IXGT20N120BD1
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