SQJ844AEP-T1_GE3
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SQJ844AEP-T1_GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Puissance - Max | 48W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Autres noms | SQJ844AEP-T1-GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1161pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 3000 pcs$0.588
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