SQJ844AEP-T1_GE3
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SQJ844AEP-T1_GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Leistung - max | 48W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Andere Namen | SQJ844AEP-T1-GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1161pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 3000 pcs$0.588
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